晋江新闻网1月6日讯 近日,集成电路专业研究机构集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新研究显示,由于DRAM(动态随机存储器)供货吃紧的态势至今未有改善的迹象,因此将延续2016下半年的价格涨势,2017年第一季DRAM平均销售单价已呈大幅上涨的格局。
数字显示,目前仅规格为DDR3、容量为4GB模组的DRAM合约价格,最高已超过25美元,季涨幅超过三成,为DRAM史上首个在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度,创造了纪录。
存储器集成电路行业专家表示,根据现有的已成交的合约看来,2017年第一季标准型内存(广泛应用于笔记本电脑存储)价格持续攀高,总体平均涨幅接近三成,服务器内存(广泛应用于大型服务器数据存储)的涨幅略同,部分模组已超过200美元大关,涨幅同样超过两成。而广泛应用于智能手机里的行动式内存也因智能手机在中国新年铺货需求的带动下,多种制式的内存价格同样攀高,季涨幅预计也将超过一成。
去年,由于国内品牌崛起带动智能手机需求旺盛,DRAM原厂陆续调降标准型内存产出,转作行动式内存。在供货减少下,标准型内存均价一路攀升,连带服务器内存价格也呈现大涨,甚至行动式内存在2017年第一季也有近15%的季涨幅。此外,其他类型的内存,如利基型内存也都受市场利好,季涨幅至少超过一成。
展望2017年,各DRAM原厂资本支出较为保守,皆不倾向过分扩张产能,并以获利导向和增强制程能力为主要经营策略。DRAMeXchange预估,2017年DRAM产业的供给端成长率仅19%,远低于往年至少二成甚至超过三成的年成长率,在2017年DRAM需求端年成长超过22%的情况下,供不应求的严峻程度可见一斑,由此推动存储器整体价格持续上升。
此外,因各式云服务、大数据的兴起,服务器内存需求也显著成长。DRAMeXchange预估,2017年服务器的平均内存容量将达130GB以上,其中,国内市场的强劲需求持续高于世界水平,这也驱使存储器厂在2017年的产能分配有限的情况下,部分的DRAM产品供货出现吃紧甚至发生缺货情形。
(记者_柯国笠)
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